廈門通富微電正式揭牌 一期項目試投產

   12月23日上午，廈門通富微電子有限公司揭牌暨集成電路先進封裝測試產業化基地（一期）項目試投產儀式舉行。

   根據此前的資料顯示，通富微電先進封測項目總投資70億元，于2017年6月簽約落戶。項目規劃建設以Bumping、WLCSP、CP、FC、SiP及三、五族化合物為主的先進封裝測試產業化基地，分三期實施，其中一期總投資20億元，規劃建設2萬片Bumping、CP以及2萬片WLCSP、SIP（中試線）。2018年12月14日，一期項目正式封頂；2019年10月30日，一期項目完成送電。

   12月23日，通富微電先進封測項目試投產，達產后年新增封裝測試集成電路先進封裝測試118.8萬片，預計年產值超20億元。通富微電總裁石磊表示，建設廈門通富新工廠，是通富微電在產業政策及國產替代和5G、物聯網等應用對集成電路巨大的市場需求背景下，抓住機遇，積極呼應，“借助產業化基地項目，打造世界級先進封裝測試企業”的重要、關鍵的一步。

   廈門海滄區委副書記鐘海英指出，2016年以來，海滄發展集成電路產業重點打造以特色工藝封裝測試、集成電路設計http://www.morabeyondmarketing.com為主的產業鏈布局，通富微電是落戶海滄的第一個集成電路項目、東南沿海地區首個先進封測產業化基地，該項目達產后年產值將超10億元。